Рубрики
Источники питания

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах Андрей Колпаков В статье рассматриваются главные предпосылки отказов массивных IGBT силовых модулей, приводятся

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах Андрей Колпаков

В статье рассматриваются главные предпосылки отказов массивных IGBT силовых модулей, приводятся технологические способы увеличения надежности. Тщательно описаны методы обеспечения больших характеристик надежности и методики испытаний, применяемые SEMIKRON.

Прогресс в разработке умственных силовых модулей IGBT привел к созданию технологии SKiiP — SEMIKRON integrated intelligent Power. В изделиях, сделанных по этой технологии, отсутствуют паяные и сварные соединения, являющиеся основным источником отказов массивных интегральных силовых модулей. Революционным шагом явилась разработка конструкции pressure-contact, при которой связи частей конструкции модуля осуществляются за счет прижима, соединение выводов силовых кристаллов с платой драйвера выполнено при помощи пружинных контактов, а медное основание отсутствует. При всем этом теплоотвод является составной частью конструкции.

Разработка SKiiP, разработанная спецами компании SEMIKRON, позволила сделать умственные модули с высочайшими показателями надежности и долговечности, что подтверждается бессчетными испытаниями и плодами статистического анализа. Для доказательства настолько больших характеристик нужен анализ состояния модуля в момент отказа.

Общие положения

Одним из главных характеристик, характеризующих надежность работы хоть какого изделия, является интенсивность (либо частота) отказов λ (рис. 1).

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 1. Зависимость частоты отказов от времени эксплуатации

Эпюра, приведенная на рис. 1 и именуемая кривой надежности, имеет 3 ярко выраженных участка. 1-ый участок, определяющий область ранешних дефектов, характеризуется спадом частоты отказов. Скорость спада зависит в главном от конструкции изделия, параметров примененных материалов и технологии производства. На форму кривой в данной части приметное воздействие оказывают способы испытаний и контроля свойства, применяемые в процессе производства. Главным способом понижения количества отказов на ранешней стадии эксплуатации является электротермотренировка в процессе производства. Данный способ обширно применяется на фирме SEMIKRON при производстве умственных силовых модулей SKiiP и драйверов SEMITRANS.

Статистические отказы в средней части графика имеют фактически неизменную интенсивность. Данный участок, имеющий наивысшую продолжительность — время обычной эксплуатации изделия. И, в конце концов, последняя область графика с растущей частотой отказов соответствует окончанию срока службы изделия. Для силовых модулей IGBT этот участокхарактеризуется лавинообразным ростом термического сопротивления кристаллов, разрывом электронных связей, потерей маневренности.

Ускоренные тесты силовых модулей позволяют получить данные, при помощи которых можно довольно точно высчитать характеристики надежности изделия, найти механизмы отказа, предсказать, как будет вести себя изделие при разных критериях эксплуатации.

Бессчетные проверки проявили, что основной предпосылкой отказа массивных полупроводниковых модулей являются механические напряжения, вызванные колебаниями температуры — термоциклами. Термоцикл представляет собой обычный рабочий режим эксплуатации изделия: это и нагрев при включении «холодного» изделия, и повторяющееся изменение нагрузки от малого до наибольшего значения. Потому главным видом тесты массивных модулей на сегодня является термоциклирование либо повторяющийся нагрев и остывание кристаллов силовых транзисторов.

Способы анализа отказа силовых модулей

В процессе испытаний чипы транзисторов греются до наибольшей температуры за счет протекания неизменного тока определенной величины. После заслуги предельного значения температуры ток прерывается, кристаллы стремительно охлаждаются до температуры теплостока благодаря низкой теплоемкости. Дальше скорость остывания модуля до малой рабочей температуры определяется термический неизменной времени радиатора и эффективностью охлаждающей системы. График процесса термоциклирования приведен на рис. 2.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 2. График процесса термоциклирования (красноватый — температура кристалла, голубий — температура радиатора)

Данный цикл неоднократно повторяется с периодом 30-60 с, вызывая ускоренное «старение» модуля. Недлинные термоциклы с периодом 1 с и наименее действуют лишь на состояние кристалла и его выводов, потому для оценки надежности всей конструкции модуля используются долгие циклы. Такие тесты являются более «приближенными к жизни», потому что конфигурации, которые они вызывают, совпадают с реальными процессами, происходящими с модулем при эксплуатации. Неоднократное термоциклирование в итоге приводит к резкому изменению характеристик либо отказу модуля.

На рис. 3 приведены результаты ускоренных испытаний модуля SKiiP 3 с 14 кристаллами IGBT, соединенными параллельно. После 20000 циклов графики (рис. 3а) демонстрируют изменение напряжения насыщения и температуры кристалла, вызванные одним из процессов, приводящих к отказу модуля, — отслоением выводов кристаллов. Этот процесс сопровождается скачкообразным ростом напряжения насыщения VCE. Нрав конфигураций на графиках (рис. 3б) несколько другой: начиная с 21500 циклов напряжение насыщения VCE и температура кристалла Tj плавненько растут в итоге роста термического сопротивления, вызванного разрушением паяного соединения силового чипа. Невзирая на то, что полный отказ модуля наблюдается, как и в прошлом случае, после отслоения выводов (отмечено вертикальной чертой), в этом случае этот механизм отказа является вторичным, последующим после нарушения термический связи кристалла и глиняной платы DCB. На рис. 4 показаны выводы эмиттера IGBT транзистора, отошедшие от соединительных медных шин глиняной подложки в итоге воздействия бессчетных термоциклов.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 3. Термоциклирование модуля SKiiP 3 (градиент температуры 110 К)
Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 4. Отслоение выводов IGBT от соединительных шин платы DCB

Изменяя значение ускоряющих причин испытаний (градиент температуры ΔТ, среднее значение температуры Tm, предельную температуру кристалла Tjmax), можно выбирать один из 2-ух устройств, преобладающих при отказе, и рассматривать поведение модуля в критичных ситуациях.

Конкретное измерение таких характеристик, как термическое сопротивление Rth и напряжение насыщения VCEsat, служащих «индикаторами отказа», в реальных модулях является довольно сложной задачей. Основную сложность представляет измерение характеристик в процессе отказа модуля, когда наступает разрушение конструкции и утрата маневренности. Для детализированного анализа процесса отказа могут употребляться дополнительные параллельные элементы конструкции (выводы и чипы), которые позволяют сохранять контроль над силовым кристаллом даже при его отказе. В случае силового IGBT-модуля дополнительные элементы (выводы эмиттера и чипы IGBT) могут быть установлены при изготовлении модуля, как показано на рис. 5.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 5. Параллельные выводы силового кристалла (а) и параллельные чипы (Ь)

Конфигурации, вносимые в интегральную схему модуля и сам силовой модуль, дозволяющие определять свойства в процессе испытаний, приведены на рис. 6. Как показано на рисунке, соединение коллектора кристалла с медной шиной DCB-керамики осуществляется при помощи пайки, а выводы эмиттера и затвора подключаются к шинам средством ультразвуковой сварки. Модификация состоит в том, что эмиттер каждого из параллельно соединенных IGBT подключается к дополнительной шине (Детектор) через измерительный шунт при помощи дополнительных параллельных выводов. Эти выводы не проводят силовой ток, но сохраняют контакт с эмиттером при повреждении главных эмиттерных связей, другими словами поддерживают маневренность транзистора. Дополнительные выводы эмиттера объединены в группы при помощи низкоомных резисторов, также установленных на глиняной подложке. Точка соединения резисторов (шина Детектор) подключается к схеме управления (драйверу).

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 6. Измененная интегральная схема и измененный модуль

На рис. 6 показан вариант практической реализации «измерительного» модуля с 4 соединенными параллельно кристаллами IGBT. Надлежащие электронные схемы (для 2 транзисторов) для случаев работающей и покоробленной связи эмиттера и эпюры сигналов приведены на рис. 7.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 7. Эквивалентная схема с работающим (а) и покоробленным выводом эмиттера (б]г эпюры сигналов датчиков

Если связь эмиттера IGBT повреждена вследствие разрушения сварного соединения (рис. 4 и 7б) силового транзистор остается «управляемым» благодаря дополнительным выводам. При всем этом эмиттер отказавшего транзистора оказывается присоединенным к драйверу через низкоомный резистивный шунт. В итоге появляется оборотная связь по току эмиттера и ток транзистора резко понижается. Наличие в схеме измерительных шунтов, также покоробленных и нормально функционирующих транзисторов позволяет провести детализированный анализ состояния модуля.

На рис. 7 показаны эпюры сигналов в разных точках схемы: напряжение на эмиттере силового транзистора при наличии и отсутствии связи и сигнал на измерительном шунте. Напряжение на шунте (сигнал детектора) составляет около 0,9 В и фактически не находится в зависимости от номинала шунта и тока коллектора.

Для корректного анализа поведения модуля, содержащего одиночный транзистор IGBT, нужна модификация печатной платы и модуля, показанная на рис. 8. Как видно из рисунка и эквивалентной схемы, для подключения эмиттера употребляется 2 группы из 2 проводников, любой из которых содержит токовый детектор.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 8. Измененная интегральная схема и измененный модуль с одиночным транзистором IGBT

Допустим, что только 2 дополнительных вывода (S1, S2) употребляются для управления силовым транзистором, а 2 других вывода (S3, S4) используются только для контроля целостности соединения и не связаны с драйвером. На рис. 9б показана та же схема с покоробленной связью в точке S1. Детектирование неисправности в данной схеме делается при помощи мониторинга напряжения, наводимого на распределенныхиндуктивностях эмиттерных выводов LS(E) при коммутации транзисторов. После разрыва связи меж точками S1 и S2 либо S3 и S4 появляется перенапряжение dV.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 9. Эквивалентная схема с работающим (а) и покоробленным выводом эмиттера в точке S1 (б)

Эпюры сигналов, наблюдаемых в схеме на рис. 9б, приведены на рис. 10. Перепад напряжения при включении транзистора (dV = VS2 — VS1) меж точками S2 и S1 появляется из-за разрушения связи S1.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 10. Эпюры сигналов, рассредотачивание температуры в районе чипа IGBT

На практике довольно трудно выполнить схожую доработку силового модуля на всех кристаллах, потому модификация касается только чипа, возможность выхода из строя которого максимальна. Обычно, кристаллы транзисторов верхнего плеча в полумостовых и мостовых модулях имеют большее термическое сопротивление из-за наименьшей площади медного покрытия, нанесенного на плату DBC, и худшей теплопотери, соответственно, они находятся в более напряженном электронном и термическом режиме.

Как уже было обозначено, возможность отказа находится в зависимости от значения ускоряющих причин (ΔТ, Tm, Tjmax). Анализ термических режимов работы кристалла, позволяющий следить рассредотачивание тепла в области чипа, указывает, что наибольший термический стресс с предельными значениями ΔТ и Tjmax наблюдается в центре кристалла. Предпосылкой этого будет то, что в центре чипа условия для отдачи тепла ужаснее, чем на его краях. Как следует, эмиттерный вывод, расположенный поближе к центру кристалла, разогревается больше и при мониторинге нужно рассматривать состояние конкретно этого проводника.

В случае, когда основным механизмом отказа является разрушение паяного соединения чипа, основное воздействие на состояние чипа оказывает повышение термического сопротивления «кристалл — подложка» Rthjc, что приводит к перегреву и ускорению отслоения кристалла от платы DCB. В данном случае вторичный механизм отказа — разрушение выводов — будет повлиять сначала на проводники, расположенные на краях чипа.

Проверка силовых модулей на устойчивость к термоциклированию показала, что выводы затвора также подвержены отслаиванию, хотя возможность такового повреждения намного ниже, чем в обрисованных выше случаях. В отличие от эмиттера, выводы которого имеют конструктивную избыточность для увеличения токовой нагрузки, затвор IGBT всегда подключается только одним проводником. Как следует, для анализа нарушения соединения вывода затвора нужно установить параллельно еще хотя бы один проводник.

Соответственная эквивалентная схема с 2-мя параллельными цепями управления затвором и фото доработанного модуля показаны на рис. 11, а эпюры сигналов- на рис. 12. При обычной работе цепи управления напряжение меж точками G1 и G2 равно нулю. Если связь в одной из затворных цепей будет нарушена, весь ток управления затвором потечет через параллельный проводник и один из диодов, установленных меж выводами G1 и G2. В этом случае наличие напряжения на диодике служит индикатором разрушения одной из цепей управления затвором. На рис. 12а видно, что сигнал индикации отказа VOUT повсевременно равен нулю. Эпюры 12б показывают, что при обрыве цепи G1 сигналы в точках G1 и G2 (VG1, VG2) отличаются, возникает напряжение VOUT, сигнализирующее об отказе. В отличие от нарушения связи эмиттера, повреждение цепи управления затвором не нарушает обычной работы транзистора в случае, если затвор соединен с драйвером параллельным проводником.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 11. Эквивалентная схема и измененный модуль SEMITRANS 2
Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 13. Блок-схема модуля с встроенной схемой контроля состояния эмиттерных связей и схема мониторинга

На рис. 13 приведена блок-схема силового модуля IGBT со интегрированной схемой анализа дефектов, связанных с отслоением выводов кристаллов. Модуль содержит несколько соединенных параллельно кристаллов IGBT, объединенных в 2 группы. Эмиттеры транзисторов каждой группы объединены через шунты и выведены на контрольные контакты S1, S2. Для контроля утраты проводимости к выводам S1 и S2 подключены компараторы. Состояние измерительных выводов проверяется раздельно, в данном случае схема индикации работает, даже если контрольные выводы разрушатся первыми. Зависимо от того, какой проводник откажет ранее, сигнал VSE (см. рис. 7б) либо разностный сигнал VS1S2 будет повлиять на вход соответственного компаратора. Естественно, что индикация обрыва эмиттерных выводов вероятна только, когда транзистор находится в проводящем состоянии. Контроль обрыва измерительного вывода делается при закрытом транзисторе. Для определения целостности контрольных выводов употребляется источник тока CS, который врубается, когда силовые транзисторы закрыты. Ток источника делает падения напряжения на резистивных датчиках, а компараторы ассоциируют напряжение в точках S1 и S2. Эмиттерные резисторы IGBT и датчики схемы мониторинга образуют резистивный измерительный мост. Контакты S1 и S2 находятся в диагонали моста, и напряжение меж этими точками близко к нулю, когда все цепи исправны и симметричны. Чтоб понизить мощность, рассеиваемую из-за протекания тока SC, источник тока работает в импульсном режиме. Скважность импульсов и, соответственно, среднее значение тока регулируется конденсатором, подключаемым к выводу CTCS. Временной метод управления компараторами и время подачи сигнала сброса выбраны для обеспечения высочайшего уровня помехозащищенности. Для этого все сигналы синхронизируются с импульсами управления затворами VG и опорными импульсами драйвера GDU.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 14. Сигнал ошибки при отказе эмиттерного вывода (а), сигнал ошибки при отказе контрольного вывода (б)

Метод работы схемы мониторинга исключает срабатывание драйверов во время переключения IGBT, чтоб помехи, образующиеся при коммутации транзистора, не искажали контрольный сигнал. Если найдено разрушение связи, сигнал ошибки сначала поступает на драйвер, отключающий транзисторы, а дальше — на управляющий контроллер. При обнаружении хоть какой неисправности блок анализа сигналов ошибки (см. рис. 13) производит код ошибки на выводах WARN1, WARN2, WARN3. Блок мониторинга неисправности, структура которого показана в правой части рис. 13, производится в виде интегральной схемы, встраиваемой в драйвер.

Эпюры сигналов схемы мониторинга неисправности приведены на рис. 14. На рис. 14а показаны сигналы контроля ошибки, наблюдаемые в случае обрыва эмиттерного вывода чипа IGBT. При открывании транзистора, при подаче отпирающего напряжения VGE, формируется сигнал сброса ошибки, устанавливающий выходы WARN1, WARN2, WARN3 в состояние логического нуля (код 000). После окончания переходного процесса, провождающего включение транзистора, разрешается работа компараторов по сигналу неисправности на выводе S2. На эпюрах 14а показан случай, когда при неисправности все 3 контрольных выхода инсталлируются в состояние логической единицы (код 111). После запирания транзисторов сигнал ошибки запоминается до того времени, пока не поступит еще одна команда на сброс схемы мониторинга и открывание транзисторов.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 15. Зависимость параметра FIT от температуры среды Та

Эпюры 14б соответствуют другой неисправности — обрыву контрольных выводов. Утрата проводимости этих цепей определяется по сигналу, наблюдаемому на выводе S1. Для безошибочного определения данного типа отказа нужен довольно большой ток возбуждения (CS) измерительного моста из-за того, что плечи моста являются низкоомными. По этой причине источник тока работает в импульсном режиме с низким коэффициентом наполнения, как было обозначено выше. Время работы источника CS на рис. 14б составляет приблизительно 15 мкс. Такое время нужно для того, чтоб контрольный сигнал VCTCS успел вырасти от нулевого значения до определенного порогового значения. Отключение источника тока CS, вызванное спадом напряжения VCTCS, сбрасывает счетчик схемы мониторинга. Данный процесс происходит только при каждом 240-м включении транзисторов, что нужно для понижения рассеяния мощности, вызываемого протеканием тока источника. Хоть какой сигнал ошибки, свидетельствующий об обрыве контрольных выводов, запоминается схемой контроля и поступает на выход WARN1.

Характеристики надежности

Основными параметрами, применяемыми в забугорной литературе для свойства надежности изделий, являются FIT — Failure In Time и MTBF — Mean Time Between Failure. Параметр FIT охарактеризовывает количество отказов в час, наблюдаемых при определенных критериях эксплуатации некого количества компонент в течение определенного времени.

FIT=λ= nf/(N*t)

где nf — количество найденных отказов;

N — количество испытываемых компонент;

t — время испытаний.

Обычно, параметр FIT дается в спецификациях при температуре среды 40 °С.

MTBF — величина, оборотная значению интенсивности отказов, она охарактеризовывает среднее время меж 2-мя отказами подобных компонент.

Приведем пример расчета количества отказов в год для драйвера SKHI 22. Представим, что драйвер в течение года находится в эксплуатации 220 дней по 8 часов в денек. Тогда время работы за год toper = 220 Ѕ 8 = 1760 ч.

В справочных данных на SKHI 22 дается значение MFTB = 2 Ѕ 106 при температуре среды 40 °С. Соответственно,

FIT = 1/MTBF= 500 x 10-9 (ч-1)

Nf=FIT x toper/year x 100% =500 x 10-9 x (220 x 8)x 100% = 0,088%/год = 880ppm.

Количество компонент, работающих в течение года без отказов ns, определяется последующим образом: ns = MTBF/ toper/year — 1 = 1135. Это значит, что в среднем 1 из 1136 драйверов должен выйти из строя в течение года при данных критериях эксплуатации.

Рассчитываемый процент брака находится в зависимости от времени работы в течение года. К примеру, аналогичный элемент будет иметь еще меньше отказов при toper/year = 400 ч:

Nf= FIT toper/year x 100%= 500 x 10-9 x 400 100% = 0,02%/год = 200 ppm.

Значение количества отказов в течение года экспоненциально находится в зависимости от температуры (закон Аррениуса). При увеличении температуры от 40 до 60 °С значение MTBF миниатюризируется в два раза. Зависимость параметра FIT от температуры приведена на рис. 15.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 11. Эквивалентная схема и измененный модуль SEMITRANS 2

В таблицах 1 и 2 приведены данные FIT для умственных силовых модулей IGBT SKiiP, а в таблице 3 — значения MTBF для драйверов SEMIDRIVER, производимых SEMIKRON.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Таблица 1. Значения параметра FIT для модулей SKiiP (силовые каскады)
Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Таблица 2. Значения параметра FIT для модулей SKiiP (с драйвером)
Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Таблица 3. Значения параметра MTBF для драйверов SEMIDFWER

Главным типом испытаний, позволяющим оценить надежность модуля в критериях реальных нагрузок, является термоциклирование. Cрок службы модулей является функцией средней температуры кристалла и градиента температуры ΔTj. Бессчетные исследования проявили, что средняя температура является для определения надежности более принципиальным параметром, чем перепад температур. Количество циклов до отказа Nсf связано со средней температурой кристалла Tm = Tjmin + ΔTj/2 в согласовании с выражением:

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах

где kb — неизменная Больцмана. Выражение позволяет получить неплохую аппроксимацию результатов тестов при помощи способа меньших квадратов по трем характеристикам: константа А, показатель степени и энергия активации Ea.

Заключение

Разработка прижимающего соединения pressurecontact, разработанная компанией SEMIKRON, открывает новые способности производства модулей средней и большой мощности для разных областей внедрения: электротранспорта, массивных приводов, источников вторичного электропитания. Тесты модулей на отказ при воздействии неоднократных термических ударов (термоциклов) являются принципиальным инвентарем, позволяющим оценить их надежность. Вся продукция SEMIKRON подвергается жестким испытаниям, виды которых приведены в таблице 4.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Таблица 4. Виды и условия испытаний умственных силовых модулей SEMIKRON

Описанная в статье схема мониторинга отказов, интегрированная в силовой модуль, позволяет создавать диагностику дефектов, связанных с отслоением выводов кристаллов, до того, как наступает необратимый отказ модуля. Это нужно для анализа отказов, предпосылкой которых является разрушение соединений эмиттера, затвора, контрольных выводов либо параллельных соединений кристаллов. Разрушение выводов кристаллов является вторым по значимости механизмом, вызывающим отказ модуля, после усталостных процессов в паяном слое силовых чипов. Какой из устройств окажется доминирующим — находится в зависимости от критерий эксплуатации, значения ускоряющих причин, нрава нагрузки.

В 1991 году была принята европейская программка оценки технических решений Technology Assessment. В рамках этой программки советом по науке Швейцарии сформулированы требования по сбережению энергии и надежности изделий силовой электроники, также требования к системным и информационным технологиям LESIT (Leistungselektronik, Systemtechnik und Informationstechnologie). В процессе воплощения программки LESIT проводились бессчетные тесты надежности силовых модулей разных производителей.

Сопоставление результатов программки LESIT с плодами статистического анализа испытаний модулей SKiM SEMIKRON показало, что возможность отказа 1% модулей SKiM ниже вероятности полного отказа подборки модулей стандартной конструкции в схожих температурных критериях. Произнесенное иллюстрируется графиками, приведенными на рис. 16. Эпюры демонстрируют зависимость количества термоциклов до полного отказа модулей с медной базисной платой (по данным испытаний в рамках программки LESIT) и до отказа 1% и 50% модулей SKiM3 и SKiM5 (по результатам испытаний SEMIKRON) от перепада температуры при испытаниях на термоциклирование. Видно, что преимущество в надежности силовых модулей без базисной платы проявляется значительнее при огромных перепадах температуры.

Способы оценки надежности силовых модулей IGBT SEMIKRON в предельных режимах
Рис. 16. Сопоставление результатов испытаний: SKiM5 с кристаллами Trench IGBT и DBC-AIN, SKiM3 с DBC-AI203, стандартные модули с медным основанием (по программке LESIT)

Анализ отказов и исследование устройств их появления позволяет заносить надлежащие конфигурации в конструкцию модуля и моделировать поведение модуля при разных критериях эксплуатации. Достоинства технологии pressure-contact, применяемой при изготовлении силовых модулей SEMIKRON, также серьезный контроль электронных и конструктивных характеристик позволяет получить беспримерные характеристики надежности и фактически исключить отказы в течение срока службы при всех режимах эксплуатации.