Рубрики
Силовые разъемы

Интегральные схемы и дискретные приборы компании Silan

Интегральные схемы и дискретные приборы компании Silan Бурлаенко Владимир Винокуров Андрей В статье дается лаконичный обзор выпускаемой продукции большого китайского производителя

Интегральные схемы и дискретные приборы компании Silan Бурлаенко Владимир Винокуров Андрей

В статье дается лаконичный обзор выпускаемой продукции большого китайского производителя Hangzhou Silan Microelectronics (Silan).

В марте 2011 г. компания «Неон-ЭК» подписала дистрибьюторское соглашение с наикрупнейшим китайским производителем полупроводниковых устройств Silan-IC, предлагающим микросхемы-драйверы светодиодов.

Не так издавна в Рф, ну и в мире, бытовало мировоззрение, что китайская электроника делается в гаражах, на коленке, потому имеет настолько низкое качество, ну и срок службы таковой электроники невелик. За последние пару лет в связи со значимым ростом свойства продукции компаний, довольно удачно работающих как на мировом, так и на внутреннем рынке, вышло изменение в восприятии китайских и тайваньских производителей. Silan является одним из таких азиатских «тигров» — это быстрорастущая инноваторская компания с солидной репутацией в Юго-Восточной Азии, но практически не популярная в Рф.

Hangzhou Silan Microelectronics была базирована в октябре 1997 г. в Китае с основным кабинетом в Ханчжоу. В марте 2003 г. компания начала продавать свои акции на Шанхайской фондовой бирже (SSE). В конце третьего квартала 2010 г. общие активы компании составляли около 2 миллиардов юаней (более $300 млн). В группу Silan входят несколько подразделений, в т. ч. Silan-IC и Silan Azure. Продукцию, выпускаемую Silan-IC, можно поделить на три главные категории:

  • аналоговые интегральные микросхемы (ИС), производимые на базе собственных запатентованных технологий;
  • высоковольтные MOSFET, диоды Шоттки, быстровосстанавливающиеся диоды FRD, защитные диоды TVS;
  • цифровые аудио/видео огромные интегральные схемы (БИС).

Silan Azure имеет 12 MOCVD-реакторов для выкармливания эпитаксиальных структур. Для сопоставления, во всей Рф имеется всего только четыре схожих реактора. Основная продукция — светодиодные кристаллы.

Завод по производству полупроводников Silan-IC занимает площадь 125 тыс. кв. м и имеет полный цикл производства, в том числе эпитаксию кремниевых пластинок. В НИОКР работают 200 профессионалов, в числе их более 100 кандидатов и медиков наук. В городке Ченгду строится новый завод группы Silan общей площадью 310 тыс. кв. м. Сейчас предприятие располагает фактически всеми современными технологиями (рис. 1).

Интегральные схемы и дискретные приборы компании Silan

Рис. 1. Способности производства Silan-IC

Беря во внимание специфику журнальчика «Силовая электроника», считаем целесообразным более тщательно поведать о дискретных устройствах Silan. Но поначалу — коротко об ИС для построения маломощных импульсных источников питания (ИИП), совмещающих в одном корпусе ШИМ, цепи управления и защиты и интегрированные высоковольтные главные транзисторы.

Интегральные микросхемы

Разглядим типовое включение микросхем компании Silan SD4841/42/43/44 (табл. 1), которые являются многофункциональным аналогом ИС PI TOP412/414, Fairchild FSDM0265RN, VIPPER и др. Как видно на рис. 2, микросхемы имеют схожую схемотехнику, а в документации обнаруживаются и схожие характеристики. Приблизительная цена самой сильной ИС Silan (15 Вт) серии SD4844 — приблизительно 13 руб. с НДС, и это основное отличие от соперников. В последнее время выйдет на рынок новенькая версия семейства SD484х, которая будет обозначаться SD688x и иметь наименьшее сопротивление ключа.

Интегральные схемы и дискретные приборы компании Silan

Рис. 2. Схема включения SD484X

Таблица 1. Характеристики микросхем

Наименование Uзапуска, В Iзапуска, мкА Iпиковый, А Частота, кГц Выходная мощность, Вт Корпус 85-265 VAC 190-265 VAC SD4841 12 20 0,60 67 8 10 DIP-8-300-2.54 SD4842 0,75 10 12 SD4843 0,90 12 14 SD4844 1,20 14 16
AC/DC-конверторы со встроенными ключами

Микросхемы корректора фактора мощности для различных источников питания создают многие компании. Не осталась в стороне и Silan, выпустив SA7527, pin-to-pin совместимую со многими аналогами (табл. 2). Возлагаем надежды, что работникам отделов снабжения понравится стоимость этой ИС — ~ 9,99 руб.

Таблица 2. Аналоги микросхем

Silan Fairchild ON Infineon STM SA7527 FAN7527 MC34262 TDA4863 L6562

Более тщательно с широким ассортиментом ИС Silan можно познакомиться на веб-сайте производителя. Там вы сможете узреть, что Китай способен выпускать не только лишь дешевенькие pin-to-pin-аналоги, но предлагает и системы на кристалле, и собственные запатентованные разработки.

Транзисторы MOSFET

Не так давно Silan объявила о разработке 4-ого поколения высоковольтных MOSFET-транзисторов серии SVF, выпускаемых по своей запатентованной технологии F-cell. Рабочее напряжение этих устройств составляет 400-900 В, ток — 1-14 А, и корпусируются они в TO-92-3L, TO-220-3L, TO-220F-3L, TO-251-3L, TO-252-2L, TO-3PN. Попробуем сопоставить транзисторы третьего поколения технологии S-Rin серии SVD с серией SVF.

Особенности и достоинства MOSFET-транзисторов SVF в сопоставлении с SVD

Мы сравнили данные из технической документации Silan и добавили для сопоставления данные похожих по характеристикам MOSFET узнаваемых производителей (табл. 3). SVF относятся к новенькому поколению HVDMOS с технологией F-cell, имеют наименьший размер чипа по сопоставлению с SVD, и наилучшие динамические свойства. В сопоставлении с Fairchild и STM приборы Silan смотрятся полностью достойно. Естественно, мы ассоциировали их не с «флагманскими» устройствами глобальных фаворитов, но в целом ряде устройств, где одним из главных требований является стоимость, MOSFET Silan будут нужны. Например, цена SVF4N60D (MOSFET 4 A 600 V) с сопротивлением канала 2 Ом в корпусе TO-252 составит порядка 7 руб. В принципе, и на многие другие, обширно всераспространенные MOSFET можно подобрать аналоги Silan (табл. 4).

Таблица 3. Сопоставление технических характеристик транзисторов

Производитель Тип Рабочие характеристики, А/В R канала max. EAS (mJ) Время Время заряда (VDS = 80% Spec.) Емкость, пФ Вкл., нс Выкл., нс Qgs, нс Qgd, нс Qg, нс Ciss Coss Crss S-Rin SVD830F 5/500 1,5 256 31 124 2,7 6,1 16 548 63 5 F-Cell SVF830F 1,5 234 52 49 2,6 3,2 9 480 72 2 Fairchild FDPF5N50 1,4 225 20 44 3 5 11 480 66 5 STM STF6N52K3 5/525 1,2 110 10 31 4 15 26 670 54 10

Таблица 4. Аналоги MOSFET

Silan Infineon STMicroelectronics Fairchild Vishay/IR SVF3N60A (600В, 3А) SPP03N60S5 STD3NM60 FQP3N60C IRFIBC30G SVD7N60 (600В, 7А) SPD07N60S5 STD8NM60N FCPF7N60 IRFBC40APBF SVD4N60 (600В, 4А) SPP04N60S5 STP4NK60 FCD4N60 IRFIBC40G
Диоды

Технологии Silan позволяют выпускать быстровосстанавливающиеся диоды FRD (табл. 5) с рабочими напряжениями до 600 В и токами до 20 А, также и диоды Шоттки (табл. 6), с рабочими напряжениями до 150 В и токами до 30 А. В последнее время появится SFR30S20T на ток 30 А и рабочее напряжение 200 В.

Таблица 5. Fast Recovery Diode (FRD) — быстровосстанавливающиеся диоды

Наименование Uноминальное, В Iноминальный, А Время оборотного восстановления, нс Корпус SFR08S40T2 400 8 35 TO-220-2L SFR08S60T2(F2) 600 8 TO-220-2L,TO-220F-2L SFR12S20T,F 200 12 SFR16S20T,F 200 16 SFR20S20T,F 200 20

Таблица 6. Schottky Barrier Diode (SBD) — диоды Шоттки

Наименование Uноминальное, В Iноминальный, А Корпус SBD10C45T,F 45 10 TO-220-3L/TO-220F-3L SBD10C150T,F 150 SBD20C40T,F 40 20 SBD20C150T,F 150

Всех поражает, как дешево стоят блоки питания из Китая. Сейчас можно разъяснить это тем, что китайцы сами создают в большенном количестве дешевые высококачественные РЭК.

Элементная база производства Silan употребляется во огромном количестве РЭА китайского производства. Вобщем, эту же продукцию предлагает и глобальный дистрибьютор Avnet. Сейчас микросхемы и дискретные приборы Silan доступны и на русском рынке. У разработчиков и производителей появилась красивая возможность значительно удешевить свои изделия без понижения свойства. Достоинства дискретных устройств Silan — недлинные сроки поставки и очень симпатичные цены.