Записи с меткой ‘igbt’

Силовые конденсаторы EPCOS для IGBT инверторов массивных преобразователей напряжения

Силовые конденсаторы EPCOS для IGBT инверторов массивных преобразователей напряжения Сергей Шишкин

Хоть какой силовой конденсатор — элемент электронной цепи, созданный для использования его емкости, обладает набором потребительских параметров, определяемых совокупой характеристик эквивалентной схемы. Хотя история существования данного устройства и насчитывает более 2-ух с половиной веков, сделать универсальный вариант силового конденсатора пока не удалось. (далее…)

Силовые интегральные модули 6-го поколения компании Fuji Electric

Силовые интегральные модули 6-го поколения компании Fuji Electric Петропавловский Юрий

Компания Fuji Electric практически 90 годов назад появилась как одно из первых немецко-японских электротехнических компаний. В текущее время компания является большим холдингом — Fuji Electric Holding Co., Ltd., состоящим из 4 головных отделений, занимающихся разработкой и созданием электротехнического оборудования, оборудования для промышленной автоматизации, полупроводниковых устройств и оборудования для систем розничной торговли. (далее…)

IXYS – высочайшее качество и надежность компонент силовой электроники

IXYS – высочайшее качество и надежность компонент силовой электроники Иван Полянский

Компания IXYS выпускает широкий диапазон компонент силовой электроники: 1. силовые диоды: выпрямительные, сверхбыстрые, Шоттки, GaAs, SiCa и др.; 2. дискретные MOSFET и IGBT транзисторы в стандартных и изолированных корпусах; 3. MOSFET и IGBT силовые модули различной конфигурации; 4. микросхемы управления MOSFET / IGBT; 5. (далее…)

Угнетение эффекта Миллера в схемах управления MOSFET / IGBT

Угнетение эффекта Миллера в схемах управления MOSFET / IGBT Гери О

Одной из главных заморочек, с которой нередко приходится сталкиваться разработчикам преобразователей частоты, является появление сквозного тока в полумостовых каскадах, вызванное неверным отпиранием транзистора из-за наличия емкости Миллера в структуре IGBT. В предлагаемой статье анализируются технические и экономические нюансы 4 разных методов угнетения эффекта паразитного включения транзистора, предпосылкой которого является емкость Миллера «коллектор — затвор». (далее…)

Главное — не перегреть! Силовые модули для гибридного и электронного транспорта

Главное — не перегреть! Силовые модули для гибридного и электронного транспорта Фолкер Демут (Volker Demuth) Перевод и комменты: Андрей Колпаков

Силовые ключи, работающие в инверторах транспортных приводов, подвергаются неизменному воздействию больших перепадов температуры. Жесткие термические режимы и неоптимальные условия остывания ограничивают мощностные свойства силовых модулей и уменьшают срок их службы. (далее…)

Новенькая интегральная микросхема драйвера 2ED020I12-F для IGBT / MOSFET транзисторов на базе технологии встроенного силового трансформатора без сердечника (CLT – Coreless Transformer)

Новенькая интегральная микросхема драйвера 2ED020I12-F для IGBT / MOSFET транзисторов на базе технологии встроенного силового трансформатора без сердечника (CLT – Coreless Transformer) А. Волке, М. Хорнкамп, Б. Стрзалковски
(компании Infineon Technologies AG и eupec GmbH, Германия)
Николай Лишманов
Андрей Копылов

В текущее время микросхемы драйверов для IGBT либо MOSFET обширно употребляются в почти всех областях силовой электроники и электротехники. (далее…)

Трудности электрической сопоставимости массивных импульсных преобразователей напряжения

Трудности электрической сопоставимости массивных импульсных преобразователей напряжения Андрей Колпаков
Лев Журавлев

Главные усилия компаний, производящих составляющие для силовой электроники, ориентированы на ублажение жесточайших требований, предъявляемых сейчас к преобразователям напряжения. Одним из главных является требование по электрической сопоставимости. Современные силовые ключи, сначала MOSFET и IGBT, имеющие очень высочайшие скорости переключения, безизбежно становятся источником электрических помех (EMI — ElectroMagnetic Interference). (далее…)

Управляйте электродвигателями при помощи XPT IGBT компании IXYS

Управляйте электродвигателями при помощи XPT IGBT компании IXYS Иван Полянский

Компания IXYS представляет XPT IGBT, новейшее поколение транзисторов с защитой в режиме недлинного замыкания, с возможностью параллельного соединения и высочайшей эффективностью. Новые заслуги в разработке топологии кристалла и новые технологические процессы позволили сделать IGBT с усовершенствованными чертами. (далее…)

Новые высокоточные силовые модули таблеточного выполнения IGBT компании Westcode

Новые высокоточные силовые модули таблеточного выполнения IGBT компании Westcode F. Wakeman, G. Lockwood, LeJeune
Перевод Иван Полянский

В данной статье рассмотрены главные свойства press-pack IGBT компании Westcode, показаны способности построения разных преобразователей на их базе. Предложенный материал является базисной информацией, нужной для осознания способностей и задач данной технологии. (далее…)

EconoPACK 4 — новое поколение надежных силовых модулей

EconoPACK 4 — новое поколение надежных силовых модулей Вильгельм Руше (Wilhelm Rusche) Перевод: Алексей Семенкович

Надежность и энергетическая эффективность — вот два основных требования к современным инверторам. Отличительные свойства новейшей серии модулей «Infineon» EconoPACK 4 — крепкая конструкция и новенькая энергетически действенная разработка IGBT4 с оборотными диодиками 4-го поколения. (далее…)