Рубрики
Составляющие силовой электроники

Трудности выбора главных силовых транзисторов для преобразователей напряжения с жестким переключением

Трудности выбора главных силовых транзисторов для преобразователей напряжения с жестким переключением Александр Полищук

В статье рассматриваются вопросы выбора главных полупроводниковых устройств для преобразователей напряжения. Приводится методика резвого оценочного расчета утрат в инверторах и оценка эффективности внедрения многообещающих силовых транзисторов.

За последнее десятилетие MOSFET и IGBT силовые транзисторы накрепко зарекомендовали себя в качестве главных главных устройств для преобразовательной техники.

Рубрики
Оборудование

Новенькая интегральная микросхема драйвера 2ED020I12-F для IGBT / MOSFET силовых транзисторов на базе технологии встроенного трансформатора без сердечника (CLT – Coreless Transformer)

Новенькая интегральная микросхема драйвера 2ED020I12-F для IGBT / MOSFET силовых транзисторов на базе технологии встроенного трансформатора без сердечника (CLT – Coreless Transformer) Николай Лишманов
Андрей Копылов

Приведены примеры построения наружной схемотехники для ИМС-драйвера 2ED020I12-F и описание работы его функций по защите.

Вероятные реализации цепи электропитания драйвера

Традиционным решением для питания драйвера верхнего плеча считается «бутстрепная» схема.

Рубрики
Силовые разъемы

Интегральные схемы и дискретные приборы компании Silan

Интегральные схемы и дискретные приборы компании Silan Бурлаенко Владимир Винокуров Андрей

В статье дается лаконичный обзор выпускаемой продукции большого китайского производителя Hangzhou Silan Microelectronics (Silan).

В марте 2011 г. компания «Неон-ЭК» подписала дистрибьюторское соглашение с наикрупнейшим китайским производителем полупроводниковых устройств Silan-IC, предлагающим микросхемы-драйверы светодиодов.

Рубрики
Технологии силовой электроники

Конструктивно-технологические особенности MOSFET полевых транзисторов

Конструктивно-технологические особенности MOSFET полевых транзисторов Анатолий Керенцев Владимир Ланин

В статье рассмотрены разные структуры и конструктивно-технологические особенности металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Определены рациональные варианты конструктивно-технологического выполнения MOSFET и методы монтажа кристаллов в корпус, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость характеристик изделий.

Рубрики
Технологии силовой электроники

Применение новейшей серии P-канальных MOSFET транзисторов компании IXYS

Применение новейшей серии P-канальных MOSFET транзисторов компании IXYS Абдус Саттар Иван Полянский

Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сравнимых n-канальных MOSFET, такими как очень резвое переключение, управление при помощи уровня напряжения затвора, простота параллельного соединения и высочайшая температурная стабильность.

Введение

Семейство p-канальных MOSFET-транзисторов компании IXYS обладает всеми основными преимуществами сравнимых n-канальных MOSFET, такими как очень резвое переключение, управление при помощи уровня напряжения затвора, простота параллельного соединения и высочайшая температурная стабильность.

Рубрики
Технологии силовой электроники

Встроенные составляющие — база построения современных источников питания

Встроенные составляющие — база построения современных источников питания Владимир Ланцов
Саркис Эраносян

Тенденции развития встроенных компонент и источников питания на их базе демонстрируют, что таким макаром можно ускорить процесс разработки, повысить технологичность и надежность средств электропитания аппаратуры.

Малость истории

При проектировании вторичных источников питания разработчики всегда стремились использовать встроенные (в той либо другой степени) составляющие (микромодули, микросборки, наборы частей и т.

Рубрики
Источники питания

Электрическая компонентная база силовых устройств. Часть 3

Электрическая компонентная база силовых устройств. Часть 3 Владимир Ланцов Саркис Эраносян

Рассмотрены используемые в текущее время полупроводниковые силовые составляющие: полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Повышенное внимание уделено встроенным силовым модулям (IPM). Изготовлен обзор компонент и российского, и забугорного производства.