Рубрики
Технологии силовой электроники

Сравнительный анализ эффективности главных силовых транзисторов с полевым управлением

Сравнительный анализ эффективности главных силовых транзисторов с полевым управлением Олег Бономорский
Павел Воронин
Николай Щепкин

В статье рассматривается очередной шаг совместной работы профессионалов НИЦ СПП ВЭИ и кафедры ПЭ МЭИ по разработке новых силовых транзисторов, собранных по каскодной схеме и управляемых по затвору МОП структурой.

За прошедшие годы удалось сделать несколько поколений схожих силовых транзисторов, в каких главным токонесущим высоковольтным элементом является прибор с полевым управлением, работающий в проводящем состоянии как p-i-n диодик.

Рубрики
Источники питания

Полевые транзисторы MOSFET Philips

Полевые транзисторы MOSFET Philips Владимир Захаров

На сегодня основную часть производимых силовых транзисторов составляют устройства со структурой металл-окисел-полупроводник (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET). Полевые транзисторы MOSFET выпускают многие большие компании, в том числе и Philips Semiconductors.

Компания Philips Semiconductors издержала много средств и усилий на разработку MOSFET полевых транзисторов с малым сопротивлением открытого канала и достигнула впечатляющих результатов.

Рубрики
Составляющие силовой электроники

Трудности выбора главных силовых транзисторов для преобразователей напряжения с жестким переключением

Трудности выбора главных силовых транзисторов для преобразователей напряжения с жестким переключением Александр Полищук

В статье рассматриваются вопросы выбора главных полупроводниковых устройств для преобразователей напряжения. Приводится методика резвого оценочного расчета утрат в инверторах и оценка эффективности внедрения многообещающих силовых транзисторов.

За последнее десятилетие MOSFET и IGBT силовые транзисторы накрепко зарекомендовали себя в качестве главных главных устройств для преобразовательной техники.

Рубрики
Силовые разъемы

IGBT силовые транзисторы International Rectifier шестого поколения

IGBT силовые транзисторы International Rectifier шестого поколения Людмила Горева

В ближайшее время сектор элементной базы для силовой электроники бурно развивается. Базисными элементами силовых регулирующих устройств являются массивные силовые ключи. Их основными параметрами являются предельные напряжения и ток, также быстродействие и эффективность передачи энергии. В качестве массивных главных частей употребляются MOSFET силовые транзисторы, IGBT силовые транзисторы и тиристоры.

Рубрики
Интересные факты

История транзисторов

История транзисторовОдним из значимых изобретений XX века по праву считается изобретение транзистора, пришедшего на смену электрическим лампам.

Длительное время лампы были единственным активным компонентом всех радиоэлектронных устройств, хотя и имели огромное количество недочетов. Сначала, это большая потребляемая мощность, огромные габариты, малый срок службы и малая механическая крепкость.

Рубрики
Составляющие силовой электроники

Новенькая разработка МОП полевых транзисторов для современной авто электроники

Новенькая разработка МОП полевых транзисторов для современной авто электроники Николай Голубев

Одной из важных и приоритетных задач современного автопромышленности является создание эконом, экологически незапятнанных, надежных и неопасных моделей автомобилей. При решении этой задачки главная роль отводится совершенствованию авто электроники и расширению числа систем и узлов, в каких используются электрические блоки контроля, управления и электропривода.

Рубрики
Электромастерская

Пробник для проверки транзисторов

Пробник для проверки транзисторовВ случае ремонта электрических устройств «прозвонить» транзистор, установленный в схеме, не всегда удается, потому приходится его выпаивать из схемы. Нередко такое вмешательство приводит к порче печатных плат, а время от времени и самих транзисторов. Потому прекрасно, если под рукою имеется устройство, позволяющее найти исправность транзистора без выпаивания его из платы.

Рубрики
Источники питания

Определение характеристик PSpice моделей полевых транзисторов МДПТ и биполярных транзисторов IGBT по экспериментальным чертам

Определение характеристик PSpice моделей полевых транзисторов МДПТ и биполярных транзисторов IGBT по экспериментальным чертам Игорь Недолужко
Павел Воронин
Алексей Лебедев

В статье описаны методики определения характеристик измененных PSpice моделей массивных МДП полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT по экспериментальным чертам при помощи систем MATHCAD и PSpice Optimizer.

Рубрики
Источники питания

Массивные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор

Массивные полевые транзисторы: история, развитие и перспективы. Аналитический обзор Дьяконов Владимир

Развитие массивных полевых транзисторов носит беспримерный нрав. С 70-х годов, когда в СССР были сделаны, детально исследованы и запущены в серию 1-ые в мире массивные полевые транзисторы, эти приборы перевоплотился из маломощных «недоносков» с высочайшим входным сопротивлением, во всем остальном уступающих биполярным транзисторам, в массивные приборы с уникально малым (до 0,001 Ом) сопротивлением во включенном состоянии, рабочими токами до 400 А и выше и рабочими напряжениями от 10-ов до 1200 В.

Рубрики
Технологии силовой электроники

Эволюция импульсных источников питания: от прошедшего к будущему. Часть 4

Эволюция импульсных источников питания: от прошедшего к будущему. Часть 4 Саркис Эраносян Владимир Ланцов

Продолжен анализ личных технических заморочек, решаемых в процессе эволюции нового класса импульсных источников питания. Рассмотрены вопросы защиты силовых частей преобразователя, также приведены главные концепции и практические схемы для их реализации в сетевых блоках питания.