Рубрики
Оборудование

Угнетение эффекта Миллера в схемах управления MOSFET / IGBT

Угнетение эффекта Миллера в схемах управления MOSFET / IGBT Гери О

Одной из главных заморочек, с которой нередко приходится сталкиваться разработчикам преобразователей частоты, является появление сквозного тока в полумостовых каскадах, вызванное неверным отпиранием транзистора из-за наличия емкости Миллера в структуре IGBT. В предлагаемой статье анализируются технические и экономические нюансы 4 разных методов угнетения эффекта паразитного включения транзистора, предпосылкой которого является емкость Миллера «коллектор — затвор».

Рубрики
Электроприводы

Что следует знать при выборе драйвера IGBT

Что следует знать при выборе драйвера IGBT Николай Сагайдаков

Для правильного выбора и расчета IGBT-драйвера нужно решить несколько задач. Эти вопросы только отчасти освещены в описаниях IGBT-модулей. Так, к примеру, обширно всераспространено допущение, что значение входной емкости Ciss, обозначенное в описании модуля, соответствует той входной емкости, которая вправду употребляется в конструкциях.

Рубрики
Оборудование

DriverSel – обычный и действенный инструмент разработчика

DriverSel – обычный и действенный инструмент разработчика Андрей Колпаков

Задачка выбора типа схемы управления силовым модулем не настолько ординарна, как это может показаться на 1-ый взор. Неувязка еще более усложняется по мере надобности управления параллельным соединением силовых модулей либо при работе на высочайшей частоте, когда значительно растет мощность, рассеиваемая драйвером.

Рубрики
Электроприводы

Способы активного управления драйверами для MOSFET транзисторов

Способы активного управления драйверами для MOSFET транзисторов Святослав Иванов Иван Нейчев

В статье представлены два способа и устройства на их базе для активного управления массивных MOSFET транзисторов, работающих в главном режиме. Поставленные цели: уменьшение динамических утрат энергии при управлении главными элементами, ограничение электрического излучения, исключение необходимости использования защитных RC-цепей и увеличение надежности эксплуатации массивных MOSFET транзисторов.

Рубрики
Электроприводы

Разумное управление IGBT-модулями

Разумное управление IGBT-модулями Марита Вендт

Умственные IPS-драйверы для управления изолированным затвором IGBT-модуля не только лишь способствуют улучшению защитных функций, да и содействуют увеличению энергетической эффективности преобразователей.

Повсевременно возрастающий спрос на электроэнергию в мировой экономике, также бурный прогресс в области силовых полупроводников — вот предпосылки быстрого развития силовой электроники за последние годы.

Рубрики
Составляющие силовой электроники

Trench 4 — универсальная разработка IGBT. Управление по эксплуатации

Trench 4 — универсальная разработка IGBT. Управление по эксплуатации Андрей Колпаков Арендт Винтрих

Внедрение новых типов кристаллов IGBT в стандартных конструктивах дает возможность прирастить техно эффективность и мощностные свойства силовых преобразовательных устройств без конфигурации их конструкции. В модулях семейств MiniSKiiP, SEMiX, SEMITRANS и SKiM, производимых компанией SEMIKRON начиная с 2007 года, используются чипы последнего поколения: Trench 4 IGBT от Infineon и антипараллельные диоды CAL 4 своей разработки.